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渡辺 勝利; 小川 豊; 近藤 達男
鉄と鋼, 68(6), p.682 - 689, 1982/00
中性子照射したハステロイーXの高温延性について試験温度、歪速度および熱中性子照射量依存性を調べた。(n,
)反応によるHe生成に関しては
B(n,)
Li反応に加えて比較的近年になって発見された
Ni(n,)
Ni(n,)
Fe反応にも着目して脆化との関係を検討した。得られた主な結果は次の通りである。(1)照射後延性の低下は歪速度の減少とともに、また1000
Cまでの範囲で試験温度の上昇とともにその傾向は強まった。(2)He脆化は低照射領域ではBの核変換によるHeによるが、高照射量になるにしたがってNi2段反応によるHeの効果が支配的となる。(3)10
n/cmの照射量に達すると、破断伸びは900Cにおいては約3.5%以下、1000Cにおいては約1.5%以下となることが予測された。(4)延性低下のしきい照射量は900Cにおいては6
10n/cm、1000Cにおいては210n/cm、またそれぞれのしきいHe量(原子比)は9.410
および3.210となることが予測された。
飯田 浩正; 関 泰; 山本 孝*; 川崎 弘光*
JAERI-M 8517, 19 Pages, 1979/10
3次元モンテカルロ計算コードを用いて、INTOR-J第1壁の中性子束、放射線損傷率、放射線発熱のポロイダル方向分布を求めた。14MeV中性子とヘリウム生成率の分布のピーキングファクタは約1.3、DPAおよび放射線発熱のピーキングファクタは約1.2となった。
C制御材の照射後組織評価静川 裕太; 関尾 佳弘; 井上 利彦; 前田 宏治; 吉田 克己*
no journal, ,
高次構造セラミック制御材(新規制御材)の開発に資するため、「常陽」で照射したBC従来材について、核変換Heの蓄積挙動に着目した透過電子顕微鏡観察を実施した。その結果、Heバブルの粒内での均一形成及び粒界での蓄積が確認され、照射に伴うバブルの成長・凝集が制御材の膨張及びクラック発生をもたらす要因となっていることが示された。
C制御材の照射後微細評価静川 裕太; 関尾 佳弘; 井上 利彦; 前田 宏治; 吉田 克己*
no journal, ,
高次構造制御BC制御材(配向気孔導入材)における核変換Heの放出挙動の推定に資するため、「常陽」で照射したBCに対するTEMによる微細組織観察を実施した。気孔部近傍においてHeバブルの無形成帯が観察され、気孔部がHeの放出パスに成り得る可能性が示唆された。本研究は、文部科学省原子力システム研究開発事業の一環で実施している「高速炉の安全性向上のための高次構造制御セラミック制御材」の成果である。
